商铺名称:河北正昊柜业有限公司
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联系我时,请说是在泵阀网上看到的,谢谢!
密集柜材质参数规格:
1、立柱 1.2~1.5 优质冷轧钢板
1、立柱 1.2~1.5 优质冷轧钢板
2、顶板 1.0 优质冷轧钢板
2、顶板 1.0 优质冷轧钢板
3、隔板1.0 厚20mm三折边成型,允许载荷80kg
3、隔板1.0 厚20mm三折边成型,允许载荷80kg
4、挂板 1.2 优质冷轧钢板
4、挂板 1.2 优质冷轧钢板
5、侧板 1.0 优质冷轧钢板
5、侧板 1.0 优质冷轧钢板
6、门板 1.0 优质冷轧钢板
目前在测量仪器方面基本所有仪器界面所显示内容都是固定不可更改,即使大部分内容并不是客户所关心的,造成视觉混乱以及空间的“浪费”。为了解决这一问题,致远功率分析仪是如何完美变身的呢-用户自定义界面,欲知后事如何,请看下节分解。功率分析仪在数值显示上有三种可选界面显示方式,所有项目、X(124)项目、用户自定义。所有项目在所有项目下,通过翻页可以查看所有的测试项内容,但每页所显示内容均不可更改,如下:PA8所有项目界面X项目该界面显示有6项目、12项目、24项目,该显示方式表示每页显示的测量项有x项,并且用户可以更改测试项内容,默认情况下每页显示不同单元的相同测试项,下图是24项目界面:项目界面以上两种显示界面都没能解决文章所提问题,别急。
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
智能型档案密集柜的档案资料管理能力。
我们购买密集架基本上都是为了存储与管理单位内的档案资料,那么能不能效率的进行管理就成为了我们考虑的重点。智能型档案密集柜的自动定位功能,可以实现档案资料的无序存放有序管理,能够在快的速度内找到我们所需要的档案资料,这样的话就能够节省很多的时间,提高我们的档案资料管理效率。
第二:智能型档案密集柜的人员安全保障。
很多人担心如果说在架体内存取资料的时候,万一密集架自己合上了,那不就会对人造成伤害吗?其实智能型档案密集柜的红外线检测功能能够自己监测出架体内是不是有工作人员,一旦有工作人员在里面,架体就会锁闭,这样的话就不会出现架体自动关闭造成伤害,能够有效保障人员的操作安全。
第三:智能型档案密集柜可以实现与原有系统的对接。
可能有些朋友在之前有自己的一些系统,里面存储了很多的资料信息,就担心买回来新的产品是不是要进行资料的重新录入,那样的话就是一个很大的工作量。现在大型智能密集柜厂家的产品已经实现了与单位内原有系统的对接,省去了重新录入的麻烦,给我们节省了大量的时间以及工作量。
使用传感器的测试小技巧来完成测试可以把原边导线多绕几圈,通过增加一次侧的匝数,来改变输入输出的变比,比如,霍尔传感器IT1000-S变比为1:1000,原边导线多绕5圈,此时,输入输出的实际变比为1:200,并在功率计上更改变比值,这样测量的电流值为1A*1%*200=2A,相比原来的10A,上升了一个台阶,按照此道理,可以再多绕几圈,可以测量的电流值将进一步缩小。上面讲解的两种方法都是可取的,有条件的话当然选用PATV-33,所能测量的电流更小。
PGA:插针网格阵列封装,插装型封装之一,基材多采用多层陶瓷基板。SIP(SingleIn-line):单列直插式封装,引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。SIP(SystemInaPackage):系统级封装,将多种功能芯片,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能。对比MCM,3D立体化可以体现在芯片堆叠和基板腔体上。