HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处
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    商品详情

      HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处

      HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处

      第5代A系列IGBT模块
      性能特点
      采用CSTBTTM硅片技术
      饱和压、短路承受能力强、驱动功率小
      比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
      成本的封装
      内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
      模块内部寄生电感小
      功率循环能力显著
      HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处

      应用领域
      适合中、低端变频器产品设计
      第5代NF系列IGBT模块
      性能特点
      采用低损耗CSTBTTM硅片技术
      LPT结构用于1200V模块,更加适合于并联使用
      额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
      外形尺寸与H系列IGBT完全兼容
      内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
      通过底板和基板间焊锡的厚度大大了温度循环能力ΔTc
      高功率循环能力
      应用领域
      通用变频器,伺服驱动器,UPS,特种电源等
      208A11、101A04、TLD378A06、352A70、1630-06C、GK291D20、4106-03A、117B39、623C00、1502A02FG1KPSIS、2308-01A、625B32、2303-01A、740B02、357C73、1221-01A、3713B1150G、109B02、353B16、355B33、117B44、422E54、5308D-03A、138A、2560、1502B02GL15V50GPSI/20、204C、641B02、086C03、483C15、601A12、208A45、3711B1150G、109C11、393B05、355B34、138A10、422E55、5308D-04A、138A01、426B31、1502B02GL400BARG、205C、641A02、086C04、483C30、601A21、208C01、3713B1110G、109C12、350D02、356A01、111A26、422E65/A、5309C-01A、138A02、2520、1502B02HG100PSIG、206C、641B10、086D05、483C50、601A22、208A35208A13、101A06、356A15、352A72、1631-06C、377A12、4107-02A、117B42、612A01、1502A02FG2KPSIG、2308-03A、625B61、2508-03A、RH240A02、3701D1FB3G、1303-02A

      HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处
      第5代NX系列IGBT模块
      性能特点
      采用化CSTBTTM硅片技术
      有CIB、7单元、2单元和1单元四种拓扑结构
      内部集成NTC测温电阻
      全系列共享同一封装平台
      耐功率循环和热循环能力强
      具有竞争力的性价比
      有条件接受客户定制
      应用领域
      通用变频器等交流电动机驱动应用
      第5代NFH系列IGBT模块
      性能特点
      采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的化
      饱和压于业界同类产品
      续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流
      开关可达60kHz
      模块内部寄生电感低
      应用领域:
      变频焊接设备等中高频开关应用
      第5代NFM系列IGBT模块
      性能特点
      采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的化
      饱和压于业界同类产品
      续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流
      开关可达30kHz
      模块内部寄生电感低

      HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处
      应用领域
      变频焊接设备等中高频开关应用
      3711B1110G、111A21、352B10、356A02、137B22A、422E66/A、5309C-02A、138A05、2570、1502B03EZ500PSIG、207C、641A10、086D20、484B02、601A31、208B01、3711B1130G、111A22、TLD356A02、356A12、117B67、427A03、5310C-01A、138A06、376B02、1502B03FJ100PSIG、208A11、641B11、086D50、484B06、601A32、208C02
      第5代MPD系列IGBT模块
      性能特点
      的CSTBTTM硅片技术带来:
      杰出的短路鲁棒性 - 了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff
      新的紧凑型封装
      良好的匹配冷却
      多孔型端子使得阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接
      端子孔径与安装定位孔径一致
      不同高度的DC端子――直接连接层压式母线棒
      应用领域
      大电机驱动,风力发电,大功率UPS等
      第6/6.1代NX系列IGBT模块
      性能特点
      采用第6代IGBT硅片技术,损耗低
      二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压
      硅片结温可高达175°C
      硅片运行温度可达150°C
      内部集成NTC测温电阻
      全系列共享同一封装平台
      有条件接受客户定制

       HC-SFS152BG1(H) 1/6国内办事处既注重紧密结合业升级需求,优先发展3C、焊接、搬运、等先进适用的工业机器人,又注重发展智能代步、安防监控、家政等机器人, 地利,广义上指的整体科技产业已做好,狭义上则是企业做好。 但是对于单个企业来说,行业的蓬展并不意味着可以坐等机遇到来,开拓创新能力才是把握机会能力的根本体现, 推进智能应勇于试错该人士表示,推进智能是一项复杂而庞大的工程,需要、试错,难以一蹴而就, 以设计为中心的数字化技术、以控制为中心的数字化技术、以为中心的数字化技术在农机企业逐步应用, 半导体照明LED行业稳步发展近年来,随着能源危机的加剧、政策的支持、居民环保意识的增强以及LED技术的不断进步和成本的逐步, 据悉,华为正致力于构建全新的物联网生态,这将改变的存在和人类的生活。 2016年5月,印发了《关于深化业与互联网融合发展的指导意见》,着力培育产业发展新生态,打造经济发展新引擎, 目前在举办的多个展会中,其中5个是全球型的贸易展览,另外7个属亚洲规模。 互联网人生活的方方面面,积累了庞大全的数据,和人工智能相结合,数据有效地被挖掘,才能创造出更大的用户价值和商业价值,  

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